华科智源大功率IGBT测试仪

HUSTEC-1600A-MT是一款大功率器件参数测试仪，可用于IGBT单管及模块，SIC器件，MOS管，二极管等功率器件的静态参数测试。
产品测试电流电压为1600A,±5000V,向下兼容，可升级到3KA/10KV.
VGE可达±100V；开启电压VGETH支持两种测试方法；
采用插槽式设计结构，便于升级和维护；
设备支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT单管及模块，二极管测试，晶闸管测试，
自动进行分档测试，既覆盖大功率特征下的测试范围，又可保证小功率器件测试精度
支持单点测试，I-V曲线扫描，还具有曲线对比功能；同一规格型号，不同批次的产品曲线对比，同一规格，不同厂家之家的产品曲线对比
开放通讯接口，可以连接探针台做wafer / chip 测试，也可以连接HANDLE,夹具及适配器做模块测试,
测试数据可存储为Excel文件，WORD报告
技术指标 Technical Specifications
技术指标
★ 3.4 VGE(th)栅极阈值电压 VGE：0.1～10V±1％±0.01V；
 3.5 VGE(th)
测试条件与精度 集电极电流Ic：
10～50mA±1％±0.5mA；
50～200mA±1％±1mA；
200～1000mA±1％±2mA；
★ 3.6 VCES集射极截止电压 VCES：0-5000V±1％±2V；
 3.7 VCES
测试条件与精度 集电极电流ICES：
0.01～1mA±3％±0.001mA；
1～10mA±2％±0.01mA；
10～50mA±1％±0.1mA；
★ 3.8 ICES集射极截止电流 集电极电流ICES：0.01～50mA
0.001～1mA±3％±0.001mA；
1～10mA±2％±0.01mA；
10～50mA±1％±0.1mA；
 3.9 ICES
测试条件与精度 集电极电压VCES：50～500V±1％±1V；
500～5000V±1％±2V；
★ 3.10  VCE(sat)饱和导通压降 集电极电压VCEs：0.001～10V±0.5％±0.001V
 3.11 VCE(sat)
测试条件与精度
 栅极电压Vge：5～40V±1％±0.01V
集电极电流ICE：0-1600A
0～100A±1％±1A；
100～1600A±1％±1A；
★ 3.12  Iges栅极漏电流 栅极漏电流IGEs：0.01～10μA±2％±0.005μA
 3.13 Iges测试条件与精度 栅极电压Vge：±1Ｖ～100V±1％±0.1V；Vce=0V；
★ 3.14  VF正向特性测试 二极管导通电压Vf：0.1～10V±1％±0.01V
 3.15 VF正向特性测试
测试条件与精度 电流IF：0～100A±2％±1A；
100～1600A±1％±2A；